Anonim

Korean kauppa-, teollisuus- ja energiaministeriön puolijohde- ja näyttöosaston päällikön Cha Hong-hyungin mukaan hankkeen perusteena on kehittää korealaista tekniikkaa seuraavan sukupolven muistille, mikä välttää nykyisen tilanteen, jossa korealaiset yritykset maksavat "Satoja miljoonia dollareita" rojaltit vuosittain Toshiban ja Intelin kaltaisille yrityksille, joilla on NAND-flash- ja DRAM-tekniikan peruspatentit.

Toinen syy projektille on Cha Hong-hyungin mukaan, että japanilaisilla yrityksillä Toshiba, NEC ja Fujitsu on 28 miljoonan dollarin nelivuotinen ohjelma, joka päättyy vuonna 2010, MRAM: n kehittämiseen.

Toinen syy projektille on 40 nm: n este, jonka katsotaan olevan kohta, jossa oksidit ovat liian ohuita sallimaan perinteisen kelluvan portin flash-muisti toimia tehokkaasti.

n

Samsung ja Hynix sijoittavat puolet 50 miljoonan dollarin budjetista ja hallitus panevat toisen puolen.

Cha Dong-hyung kertoi, että hanke oli ensimmäinen yritysten välinen yhteistyö Koreassa sen jälkeen, kun yhteisyritys kehitti 64Mbit DRAM -muistia 1990-luvulla.