Anonim

Samsung Electronics kertoo, että se on kehittänyt maailman ensimmäisen 64 Gbit: n NAND-flash-muistisirun (MLC), joka käyttää 30 nm puolijohdeprosessitekniikkaa.

Suuri tiheysvideo- ja MP3-tallennustilat huomioon ottaen yritys väitti, että olisi mahdollista yhdistää jopa kuusitoista 64 Gt: n flash-laitetta 128 Gt: n muistikortille, joka voi tallentaa 80 DVD-tarkkuuden elokuvaa tai 32 000 MP3-musiikkitiedostoa.

Korealaisen yrityksen mukaan laite on kehitetty käyttämällä uutta valmistusprosessia, jota kutsutaan itse kohdistuvaksi kaksoiskuviointitekniikkaksi (SaDPT).

n

"SaDPT edustaa keskeistä edistystä latausaukotekniikan (CTF) tekniikan ulkopuolella, jonka Samsung kehitti NAND-salamaa varten viime vuonna, kun se esitteli uuden materiaalin (piinitridin) ja uuden rakennekokoonpanon", kertoi yritys.

"Se ratkaisee kriittisen pullonkaulan alle 30 nm: n piirien muodostamisessa laajentamalla perinteisen litografiatekniikan roolia valmistusprosessissa", Samsung sanoi.